结合化学溶液沉积法及紫外(UV)辐照处理(低温光化学溶液沉积)，我们制备了非晶InGaZnO(a-IGZO)薄膜。研究表明，这种薄膜具有良好的电致阻变特性如保持力长、耐久性好、开关电压均匀以及高低阻态分布稳定等。基于电流-电压特征及其温度依赖关系，我们讨论了薄膜的电导机制。根据薄膜的傅里叶变换红外谱、X射线光电子能谱及场发射扫描电镜分析，我们认为，薄膜良好的电致阻变特性主要是由于紫外辐照减少了有机基团和含氢成分，增强了金属-氧键以及金属-氢氧键的形成。我们的研究建议a-IGZO 薄膜在电阻式随机存储器方面有潜在应用；同时，如果能把这种低温光化学溶液沉积法制备的a-IGZO 存储单元与低温制备的a-IGZO 薄膜晶体管集成，对于实现SOP 应用也是有潜力的。