【摘 要】
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本文报道了一低驱动电压CPW电容式MEMS旁路开关,构造上开关采用CPW的地平面结合信号线平面作为底电极,以增大静电力的作用区域,来减少驱动电压.同时,为了提高电容率,改善开关的隔离度,介质膜采用了高介电常数的Ta2O5,由于Ta2O5的击穿场强比较小,因此在其表面淀积了一层击穿场强比较高的SiO2膜,这样保证了开关既具有较高的电容率,又具备较强的耐压能力.整个工艺采用表面微加工工艺,聚酰氩胺作为
【机 构】
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中国科学院电子学研究所,传感技术国家重点实验室,100080
【出 处】
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第九届全国敏感元件与传感器学术会议
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本文报道了一低驱动电压CPW电容式MEMS旁路开关,构造上开关采用CPW的地平面结合信号线平面作为底电极,以增大静电力的作用区域,来减少驱动电压.同时,为了提高电容率,改善开关的隔离度,介质膜采用了高介电常数的Ta2O5,由于Ta2O5的击穿场强比较小,因此在其表面淀积了一层击穿场强比较高的SiO2膜,这样保证了开关既具有较高的电容率,又具备较强的耐压能力.整个工艺采用表面微加工工艺,聚酰氩胺作为牺牲层,并在可动金属桥上开有6×8μm的小孔阵列,来提高开关的灵敏度和便于反应离子刻蚀释放牺牲层.实验测试,开关驱动电压约15V.开关在DC-10GHz的范围内,隔离度优于20dB,在低频段甚至优于35dB,插入损耗小于1dB,
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