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本文报道了AlGaInAs应变量子阱材料生长的低压金属有机化学气相沉积的工艺研究结果,用SIMS、XRD、PL等技术分析了量子阱材料的结构组成、纯度、光学特性,得到优化的生长工艺和量子阱结构;制作的脊形波导量子阱激光器量子效率变化Δη<,ex>(25℃~85℃)<1.0dB,线性功率P>10mw,满足无致冷工作要求.