FeO薄膜的制备、磁性和电子输运特性

来源 :第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:nj84219
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非均匀纳米磁性体系,如反铁磁耦合的磁性多层膜<[1]>,磁性金属—非磁金属<[2]>、磁性金属—绝缘体颗粒薄膜<[3-4]>和磁性隧道结<[5]>中的巨磁电阻效应(giant magnetoresistance,GMR)的研究已经形成了一个新兴的交叉学科—磁电子学<[6]>.
其他文献
用射频磁控溅射技术制备了[SiO(t)/FeNi(t)]多层膜系列(其中t和t分别代表SiO层和FeNi层的厚度,N代表层数).研究发现,对[SiO(3.3nm)/FeNi(t)]系统,当FeNi层厚度小于2.4nm时,FeNi层从连续变为不连续;在t=2.1nm时,隧道磁电阻(TMR)有极大值,为-0.64﹪,当温度高于180K时,1nR正比于T,表明导电机制为热激发的隧穿导电;对[SiO(1.
用化学共沉淀和在NH/H气氛下氮化处理得到了一系列不同Ni含量的Fe-Ni-N多晶粉末.分别用X射线衍射(X-ray Diffraction XRD)和振动样品磁强计(Vibrating Sample Magentometer VSM)做了结构和磁性的测量.结果表明:要制备出单相γ′-(FeNi)N粉末与NH/H气流比、热处理温度以及时间有关.随着Ni含量的增加,材料的晶格常数逐渐减小;饱和磁化强
用X射线衍射结合Rietveld精修的方法研究了LaYCaSrMnO(LYCSMO)的晶体结构随掺杂量的变化.结果表明,Y和Sr掺杂含量在x≤0.20范围内时只有单一正交相.a,b和c方向的晶格参数几乎保持不变,而Mn-O-Mn的键角从x=0时151.9°增加到x=0.20时的172.7°表明随着x的增加MnO八面体的对称性也增加.输运测量表明,随着掺杂浓度的增加,当x<0.10时,随着x的增加金
采用脉冲激光沉积法制备了NdSrMnO膜和YBaCuO/SrTiO/NdSrMnO结,研究了NdSrMnO膜的结构和磁输运性能以及YBaCuO/SrTiO/NdSrMnO非均匀结构的自旋准粒子隧穿注入效率随注入结窗口尺寸的变化.
采用溶胶—凝胶方法,用La和Mn的环烷酸盐溶液在LaAlO(100)基底上合成了LaMnO薄膜(0.020.05时,薄膜发生了半导体到金属的转变,转变温度随着缺La量的增加而增加,最大磁转变温度在⊿=0.3附近.MR随着缺La量的增加而减少.当缺La量比较少时,大部分缺La位已被空穴所取代;但当缺La量比较大时,缺La位并没有完全被空穴所取代,而是部分分离为MnO相,部分增加了氧缺位.
采用磁控溅射,紫外线光刻和离子束刻蚀制备了LaCaMnO/EuCuO/LaCaMnO磁性隧道结.通过对获得的磁性隧道结的I-V特性测量,本文发现非线性的I-V特性,显示结样品的隧穿特性.有趣的是,本文发现在电极材料LaCaMnO的金属-绝缘体转变温度(T)以下,I-V曲线出现一个跳变.随着温度降低,开始出现跳动变的临界电流增大,但是跳变都发生在同样的电压下~209mV.当电流增大或减小在跳变点附近
用溶胶-凝胶法制备了多晶LaSrMnO块状样品.利用SQUID测量了样品在不同状态下的场冷却、零场冷却、等温剩磁、热剩磁曲线以及磁滞回线.得到了样品系列的技术磁化参数.用相同的一套参数,利用基于双势阱的Preisach模型再现了样品所有的磁测量曲线,得到了耗散场的大小和其分布.
本文利用多功能光电子能谱(XPS)和振动样品磁强计(VSM)对双层膜Co(25nm)/CoO(30nm)的磁性能进行了分析.发现在Co层和CoO层之间出现了CoO.热处理加速了Co和CoO层之间的扩散过程,改变了CoO层的厚度.面内变化角度测得的磁滞回线偏置场的最大值出现在45°,而不是0°,函数关系可以用∑bncosnφ来描述.
采用磁控溅射制备了FePt(50nm)和[FePt(2,3,5nm)/AlN(1nm)]膜,之后在550℃退火30min,研究了周期数(n)和AlN含量对[FePt/AlN]系列多层膜结构及磁学性能的影响.结果表明,多层膜的矫顽力在n=8时出现较大值;周期数的增大会引起晶粒的长大;AIN的加入不但可以抑制FePt粒子的长大,而且还能有效地降低了晶粒间交换耦合作用,并且AlN含量越大,晶粒间交换耦合
用脉冲激光沉淀法制备了LaCeMnO薄膜,测量了霍尔效应.发现正常霍尔效应具有正的霍尔系数,说明在该体系中的载流子是空穴.