AlN基纳米结构材料的电子结构及磁性调控

来源 :中国物理学会2011年秋季学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：c410504

【摘要】

：

通过第一性原理模拟,我们研究了本征缺陷、纳米结构尺寸(ZZ 和AC 型)以及化学修饰(H 或F)等对AlN 纳米片和纳米带的电子结构和磁性的影响.研究结果表明,ZZ 型准一维纳米带的磁矩随着宽度的变大而变小,H 原子饱和和未饱和后的ZZ 型纳米带都是非磁性半导体;未饱和AC 型纳米带的能带随着宽度的变大而变大,而饱和后的两种不同边缘纳米带的能带大小都是随着宽度的变大而减小.

【作者】

：

张昌文

【机构】

：

济南大学物理科学学院 250022

【出处】

：

中国物理学会2011年秋季学术会议

【发表日期】

：

2011年9期

【关键词】

：

AlN 纳米结构第一性原理磁性

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