【摘 要】
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本文针对一种以方形硅膜片作为一次敏感元件,硅梁作为二次敏感元件,采用电阻热激励和压阻拾振方式的谐振式压力微传感器的敏感结构进行研究.建立了其有限元分析(FEA)模型,利
【机 构】
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北京航空航天大学自动化学院测控系(北京)
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本文针对一种以方形硅膜片作为一次敏感元件,硅梁作为二次敏感元件,采用电阻热激励和压阻拾振方式的谐振式压力微传感器的敏感结构进行研究.建立了其有限元分析(FEA)模型,利用ANSYS6.1软件进行了数值分析、计算;重点讨论了加工工艺的实验途径:利用腐蚀工艺,在两片厚度不同的<100>硅晶片上加工出上、下敏感膜片;采用硅-硅键合工艺将上、下硅晶片键合成整体;以一定剂量,进行硼离子扩散形成拾振电阻,溅射Pt形成激励电阻;真空封装.硅微谐振式传感器的尺寸为:方形膜片边长4mm,膜厚150μm,硅谐振梁的长1.8mm,宽80μm,厚10μm.文中还对材料选择、工艺方面的改进进行了适当的讨论.
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