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用纳米化硅制备的多孔碳化硅的光致发光特性
用纳米化硅制备的多孔碳化硅的光致发光特性
来源 :第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:happytower
【摘 要】
:
用电化学阳极氧化法在淀积于Si(100)衬底上的纳米碳化硅薄膜中制成局部的多孔碳化硅样品。在对这种多孔碳化硅薄膜样品进行的光致发光实验中观察到较强的室温可见光荧光及其在紫外光
【作 者】
:
马剑平
陈治明
罗家骏
雷天民
余明斌
【机 构】
:
理工大学电子工程系
【出 处】
:
第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
【发表日期】
:
1999年期
【关键词】
:
纳米化
多孔碳化硅
光致发光
碳化硅薄膜
紫外光辐射
阳极氧化法
薄膜样品
光谱展宽
峰值能量
反常现象
荧光及
可见光
电化学
室温
实验
局部
淀积
衬底
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用电化学阳极氧化法在淀积于Si(100)衬底上的纳米碳化硅薄膜中制成局部的多孔碳化硅样品。在对这种多孔碳化硅薄膜样品进行的光致发光实验中观察到较强的室温可见光荧光及其在紫外光辐射下强度进一步升高并伴随有光谱展宽和峰值能量升高的反常现象。
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