论文部分内容阅读
该文介绍应变层异质结Si〈,1-x-y〉Ge〈,x〉C〈,y〉/Si(001)价带带阶(VBO)如何随碳含量变化的最新理论计算结果。采用从头算赝势法先计算该应变层异质结体系的电子结构,然后利用平均键能方法计算其VBO。研究发现,随着该合金系统的组分变化,体系的VBO的变化趋势在晶格匹配处发生突然变化。这是不同应变性质的自然的物理后果。计算表明,少量碳(y<0.09)就能明显影响SiGe合金的应变性质、价带结构和VBO数值。在固定Ge组分x的情况下,压缩应变异质结Si〈,1-x-y〉Ge〈,x〉C〈,y〉/Si(001)的VBO随碳含量的增加按 ̄10meV/℅[C]速率减少,而伸张应变异质结的VBO按 ̄30meV/℅[C]速率增大。这些结果对该异质结的材料生长和器件设计均有重要价值。