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该文介绍应变层异质结Ｓｉ〈，１－ｘ－ｙ〉Ｇｅ〈，ｘ〉Ｃ〈，ｙ〉／Ｓｉ（００１）价带带阶（ＶＢＯ）如何随碳含量变化的最新理论计算结果。采用从头算赝势法先计算该应变层异质结体系的电子结构，然后利用平均键能方法计算其ＶＢＯ。研究发现，随着该合金系统的组分变化，体系的ＶＢＯ的变化趋势在晶格匹配处发生突然变化。这是不同应变性质的自然的物理后果。计算表明，少量碳（ｙ＜０．０９）就能明显影响ＳｉＧｅ合金的应变性质、价带结构和ＶＢＯ数值。在固定Ｇｅ组分ｘ的情况下，压缩应变异质结Ｓｉ〈，１－ｘ－ｙ〉Ｇｅ〈，ｘ〉Ｃ〈，ｙ〉／Ｓｉ（００１）的ＶＢＯ随碳含量的增加按￣１０ｍｅＶ／℅［Ｃ］速率减少，而伸张应变异质结的ＶＢＯ按￣３０ｍｅＶ／℅［Ｃ］速率增大。这些结果对该异质结的材料生长和器件设计均有重要价值。