该文介绍应变层异质结Ｓｉ〈，１－ｘ－ｙ〉Ｇｅ〈，ｘ〉Ｃ〈，ｙ〉／Ｓｉ（００１）价带带阶（ＶＢＯ）如何随碳含量变化的最新理论计算结果。采用从头算赝势法先计算该应变层异质结体系的电......

用平均键能方法，研究了ＡｌＮ与ＧａＮ自由应变生长，以ＡｌＮ为衬底和ＧａＮ衬底等三种不同应变状态下ＡｌＮ／ＧａＮ应变层异质结的价带偏移。着重尝试了能带中含浅ｄ态的情况......

Ｓｉ的可见光发射是半导体发光材料研究中的一个新课题。中文从能带工程的角度出发，着重讨论了ＳｉＧｅ应变异质结，Ｓｉ量子细线，Ｓｉ纳米团以及Ｓｉ－Ｏ化合物零维......