Strain Tuning of Electronic Properties of 2D Materials

来源 :第十三届国际凝聚态理论与计算材料学会议(The 13th International Conference on Con | 被引量 : 0次 | 上传用户:wzs
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In this talk, I will introduce our recent progress on the strain tuning of electronic properties of 2D materials by first-principles calculations, focusing on graphene, 2D h-BN and MoS2, and ultra-thin topological insulator films.Effects of uniaxial strain distribution, substrate-induced lattice mismatch, and lattice relaxation in ultra-thin films will be discussed.
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