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Cu2ZnSn(S,Se)4 (CZTSSe)是与Cu(In,Ga)Se2 (CIGS)结构和性能相似的化合物半导体材料,是作为半导体薄膜太阳能电池的理想吸收层材料[1-3].磁控溅射法是一种适用于未来薄膜太阳能电池大规模生产的镀膜技术,其制备工艺的研究对CZTSSe电池的产业化发展具有重要意义.薄膜太阳电池的耗尽区宽度影响到器件的光生载流子的收集与复合,直接关系到电池的光伏性能.因此对CZTSSe薄膜电池的耗尽区宽度进行研究具有重要意义.本文的主要研究并取得了:(1)采用溅射后硒化的方法制备出具有P型半导体特性的CZTSSe薄膜,并薄膜结构、物相进行分析表征.在此基础上制备出效率为8％～10％的CZTSSe薄膜太阳能电池.(2)采用CV、DLCP等方法研究CZTSSe薄膜中Zn的含量对CZTSSe薄膜太阳电池的耗尽区宽度的影响.