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单壁碳纳米管(SWNTs)以其优异的电学特性成为制备新一代高性能集成电路的重要材料。目前普通方法制备的SWNTs均为金属型和半导体型碳纳米管的混合物，极大地阻碍了SWNTs在微纳电子器件领域的应用。实现不同结构与性能SWNTs的有效分离是解决SWNTs研究与应用困境的有效途径。本文以金属型SWNTs(m-SWNTs)和半导体型SWNTs(s-SWNTs)的选择性制备为目标，系统分析和比较近几年发展的“原位冶选择性制备的主要技术和方法，并在此基础上总结了SWNTs的金属型和半导体型控制生长的基本思路及实现途径，以期为后续SWNTs的规模化制备奠定基础。