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三氧化钨(WO3)基陶瓷具有良好的压敏特性,由于同时具有较低的压敏电压和较高的介电常数,WO3陶瓷还是一种优良的压敏—电容复合材料。因此WO3陶瓷将会在低压电子电路中取得重要的应用价值。但是由于国内外对WO3陶瓷压敏行为的研究较少,至今对WO3压敏行为没有一个完整的认识,这必将阻碍这种新型压敏陶瓷材料的实用化。