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目前,测量SiC电阻率主要采用非接触的方式,因为对于SiC这种宽禁带半导体很难找到满足形成欧姆接触的低功函数金属作为电极。所以,SiC进行霍尔测试的困难主要在于欧姆接触的制备。而非接触电阻率测试法虽然可以测量晶片上各点的电阻率值,但与霍尔法相比无法得到SiC霍尔系数、电子迁移速率、载流子浓度等重要的电学参数。