【摘 要】
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在国产TDR-62硅单晶炉上采用直拉(CZ法),通过改进SiGe单晶生长热场和氩气流动方式,采用合适的生长速度,优化调整SiGe单晶生长工艺参数,拉制出了Ge浓度为(9.79～12.92)wt％(重量比)、直径(50～60)mm的高浓度SiGe单晶,并对拉制出的SiGe单晶的Ge浓度、位错密度及生长界面情况进行了测试和分析。
【机 构】
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中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津 300220 天津大学电子信息工程学院,天津 30007
【出 处】
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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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在国产TDR-62硅单晶炉上采用直拉(CZ法),通过改进SiGe单晶生长热场和氩气流动方式,采用合适的生长速度,优化调整SiGe单晶生长工艺参数,拉制出了Ge浓度为(9.79～12.92)wt％(重量比)、直径(50～60)mm的高浓度SiGe单晶,并对拉制出的SiGe单晶的Ge浓度、位错密度及生长界面情况进行了测试和分析。
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