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采用电子束蒸发技术在SiO2,半绝缘Si,n型GaAs衬底上沉积氧化铟锡薄膜,包含5％组分的SnO2和95％的In2O3.测试薄膜基本电学、光学性能,并将其用于ITO金属和ITO/n-GaAs之间非整流接触的研究.利用圆形传输线模型的方法来测试不同退火温度下样品的接触电阻率,得到ITO与金属镍的最小接触电阻率为2.81×10-6 Ω·cm2.忽略金属与ITO接触电阻以及金属自身电阻影响后测得ITO/n-GaAs最低接触电阻率为7×10-5 Ω·cm2.