硅薄膜表面形貌和微结构的演化

来源 :第十四届中国光伏大会暨2014中国国际光伏展览会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:liyunfei369
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  非晶硅或微晶硅薄膜是光伏电池、大面积平面显示和微机电系统等领域广泛应用的光电薄膜材料。采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)或热丝CVD (HWCVD)等技术制备硅薄膜时,衬底温度一般低于300℃,沉积气压为几帕到上千帕,薄膜生长处于高的非平衡态条件下,气相中基元碰撞频繁,形成多种生长前驱物,以不同的能量和角度投射到生长表面,生长条件的变化造成薄膜形貌与微结构演化的巨大差别,进而影响材料的光电特性。
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