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为了比较研究退火效应对多层锗量子点光致发光(PL)的影响,我们利用固源分子束外延设备在550 ℃的生长温度下,在Si(001) 衬底上生长出11层锗量子点样品,并分别在600、650、700和750 ℃对原生长样品在forming gas (H2:N2=5%:95%)中进行退火.之后,分别在不同温度和不同功率下用氩离子激光(488 nm)作为泵浦光对量子点样品进行PL光谱的变温和变功率特性进行研究.