【摘 要】
：
作为一种新型电催化析氢(HER)材料,二维晶体过渡金属硫属化合物MoS2由于其特殊的结构特性和理化特性引起了研究者的广泛关注.围绕MoS2的热力学稳态2H相已有大量富有成效的理论和实验工作,然而针对其亚稳态1T-MoS2的微观结构-催化关系仍存在较大争议,主要表现在对1T相中的边缘态原子的催化贡献认识不清,尤其是缺陷在1T相中的催化作用缺乏深入研究1；从材料设计的角度来看,构造1T-富缺陷的材料结
【机 构】
：
哈尔滨工业大学复合材料与结构研究所,哈尔滨 150000
论文部分内容阅读
作为一种新型电催化析氢(HER)材料,二维晶体过渡金属硫属化合物MoS2由于其特殊的结构特性和理化特性引起了研究者的广泛关注.围绕MoS2的热力学稳态2H相已有大量富有成效的理论和实验工作,然而针对其亚稳态1T-MoS2的微观结构-催化关系仍存在较大争议,主要表现在对1T相中的边缘态原子的催化贡献认识不清,尤其是缺陷在1T相中的催化作用缺乏深入研究1；从材料设计的角度来看,构造1T-富缺陷的材料结构并实现1T-缺陷的有效调控仍然比较困难,缺陷在1T中形成的种类及其演化规律仍缺少直接的实验证据,这些困难都阻碍了对MoS2体系中缺陷-相变调控机理的基础性认识,并限制了利用多因素协同催化这一路径来进一步设计高效的析氢催化剂.针对这一难题,我们成功构造出一系列典型的样品结构,实现缺陷-相变的调控设计.研究结果显示,无论对于2H相还是1T相MoS2,晶体结构起到了决定性的作用,增加边缘的浓度能够提高体系的HER性能,并且硫空位的作用不可以忽略,这一成果对于澄清缺陷在1T相中的催化作用,以及MoS2的活性位点-电输运性对析氢反应的协同催化机理具有重要的意义2.
其他文献
GaAs是Ⅲ-Ⅴ族直接带隙半导体材料,嵌入GaAs量子点的GaAs纳米线结构(GaAs QDs-GaAs NWs)具有优良的光电性能1,可以被应用于光纤通信设备中的近红外量子点光电器件、中红外量子点探测器,及量子点太阳能电池等。通过施加电场、磁场和温度场,应力等外场,改变半导体的光学性质,可展现出多种丰富的物理效应,从而产生更为广泛的应用。
镍基高温合金的失效机制与材料在应力作用下微裂纹萌生及扩展过程有紧密关联，而合金组织形态分布直接影响到微裂纹的萌生及扩展和最终失稳断裂。本论文利用自主研发的原位扫描电镜拉伸台，对热挤压状态Inconel 740镍基高温合金管材进行室温条件下的原位拉伸断裂行为进行了研究。
铁在压力作用下会发生 α-ε 结构相变，该相变会导致铁的磁性发生转变。通过在金刚石对顶砧中布置互感探测线圈，并将金刚石对顶砧置于电磁铁中施加直流磁场，测量得到了在25GPa下，铁的磁化曲线。系统研究了铁初始磁导率、剩磁、矫顽力等宏观磁性参数随压力的变化规律，判断铁在高压下发生磁性转变的转变类型，总结铁的压力导致磁性转变与结构相变之间的关系和转变滞后性。
Introduction: Ni-based single crystal(SC)superalloys possess superior comprehensive properties,which were attributed to the existence of a high volume fraction of cuboidal L12-ordered γ′ precipitates
利用第一性原理计算方法,研究了一系列的5d过渡金属TM(TM=Hf,Ta,W,Re,Os,Ir,Pt)存在磷化物但不存在相应的相似结构的氮化物的体系,成功预测两种有可能在高压条件下合成的过渡金属氮化物,即TaP2型(C2/m,No.12)的TaN2和WP型(Pnma,No.62)的WN.系统研究了两种过渡金属氮化物形成焓、弹性常数以及声子谱,分析得到它们能够保持结构的热力学稳定性.通过与他人的计算
近年来，由于对镁合金材料热稳定性需求的提高，溶质原子在孪晶、晶界及层错等微观界面偏析的研究引起了人们的极大关注。研究表明，镁合金在错配度较小的孪晶界上会产生周期性的偏析结构[1]，而在错配度较大的晶界处，则形成非周期性的原子团簇[2]。此外，人们还发现Mg-Gd-Y和Mg-Gd-Y-Ag合金中的孪晶界和晶界处元素的偏析都有所差异[3]。但是，对界面偏析的影响因素目前没完全理清。
With more than 60%of input energy being lost,most of it as waste heat,there is a compelling need for high performance thermoelectric materials that can directly and reversibly convert heat to electric
具有层状结构的二维晶体,即过渡金属硫属化合物MX2(M=Mo,W；X=S,Se)由于地球储量丰富和良好的催化活性成为电催化制氢领域的研究重点.对于二维MoSe2催化体系,其活性位点与电输运性共同决定MoSe2的催化活性,晶体无序度可以增加二硒化钼纳米片的活性位点1.然而,本征2H相的钼硒化合物的电输运性较差(半导体),若仅从晶体无序度方面对活性位点进行优化,对析氢效率的提高仍然相当有限,而理想的改
通过固相反应法合成了空位比例为1∶1的反钙钛矿化合物Mn3GaxNx(x=0.5,0.6,0.7),并利用第一性原理计算了Mn3GaxNx(x=0.5,0.6,0.7)的在低温下的磁性.XRD结果表明当占位率x小于0.5时材料中将出现Mn3Ga等其他杂相,因此Mn3GaxNx的空位极限为0.5,当占位率x大于0.5时材料的晶格常数随占位率增加而增大.