SiO薄膜高温退火生长Si纳米线

来源 :第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:xiaoyan_0532
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用Raman微区拉曼谱和SEM研究了等离子体化学气相沉积法(PECVD)沉积的SiO<,x>薄膜退火显微形貌.结果表明:SiO<,x>薄膜高温破损与Si纳米线(SiNWs)的OAG(Oxide-assisted growth)机制生长相关,并提出了用PECVD法沉积SiO<,x>薄膜经过高温退火生长SiNWs的一种无需金属催化,与硅集成工艺兼容的新方法.
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