Si纳米线相关论文
纳米线（Nanowire,NW）因其兼具传统材料的性能与特殊的准纳米一维结构,在新型半导体材料、新能源材料、功能材料及纳米增强复合材料等......
用Raman微区拉曼谱和SEM研究了等离子体化学气相沉积法(PECVD)沉积的SiO薄膜退火显微形貌.结果表明:SiO薄膜高温破损与Si纳米线(Si......
会议
Au在Si表面的成膜质量对金属辅助化学刻蚀法制备硅纳米线至关重要。以Ti、Cr作为浸润层,可显著改善Au在硅表面的成岛趋势,获得优质......
半导体纳米材料超大的弹性极限使其物理性能具有很宽的调谐范围,被认为是应变工程理想的研究材料,引起了人们广泛的关注.本研究中,......
热电材料基于塞贝克和帕尔贴效应可直接进行热能和电能的转换，无噪声，无污染，具有广泛的应用前景。理论以及实验证明，一维结构的硅(Si)......
si纳米线及其阵列是近年内新发展起来的准一维半导体光电信息材料,在场效应器件、单电子存储器件、光探测器件、场发射器件、纳米......
利用基于密度泛函理论的第一性原理,对不同直径和浓度Ni掺杂硅纳米线的形成能、能带结构、态密度和光学性质进行了计算,结果表明:......
为了提升C/C复合材料表面SiC涂层的韧性及其与基体的结合强度，以三氯甲基硅烷为前驱体，采用常压化学气相沉积法在C/C复合材料表面制......
以气-液-固（VLS）、气-固-固（VSS）、固-液-固（SLS）和氧化物辅助生长（OAG）机制为主线，着重介绍与评论了几种主要的Si纳米线的制备方法，如激光烧......
以电阻率为1.1-1.5Ω·cm的N-（111）Si单晶为衬底和厚度为2-20nm的Au膜层为金属催化剂，在N2气流量为0.4-2.0L／min和温度为1000-1100......
Si纳米线是一种新型的准一维纳米半导体材料，具有独特的电子输运特性、场发射特性和光学特性等．本文对利用Si纳米线制备的各类电子器......
Si纳米线具有良好的光吸收和减反射特性,能够和现有Si工艺较好地兼容以及降低电池成本等优势,在太阳电池方面具有潜在的应用.介绍......
以金属Au-Al为催化剂,在温度为1 100℃,N2气流量为1 500 sccm、生长时间为30 min,从Si（100）衬底上直接生长了直径约为50～120 nm、长度......
以n型单晶Si（111）为衬底,利用Au作为催化剂,在温度、N2流量和生长时间分别为1 100℃,1.5L·min-1和60min的条件下,基于固-液-固......
以抛光和“金字塔”织构表面的单晶Si（100）为衬底,分别以Au和Au-Al为金属催化剂,在温度为1 100℃、N2气流量为1 500sccm、生长时间为......
利用Si（111）衬底,以Au-Al为金属催化剂,基于固-液-固生长机理,在温度为1100°C,N2气流量为1.5 L/min、生长时间为30—90 min等工......
荧光纳米材料不但具备纳米材料的优势,同时还具有优异的光学性质,被广泛应用于荧光标记、离子识别、荧光免疫分析、光学成像和医学......
系统地分析了压强和温度在热蒸发法生长中对Si纳米线的产量和形貌结构的影响,并全面解析了用热蒸发法制备Ⅳ族纳米线的氧化物辅助......
使用离子束正入射轰击Si衬底上有序密排的聚苯乙烯(PS)纳米球模板,通过分析PS纳米球和Si衬底的微结构与离子束轰击时间的关系,研究......
研究了Si纳米线表面Ni薄膜生长工艺。采用热蒸发法以SiO为起始原料制备自组生长的Si纳米线，再以5％（体积分数）HF剔除Si纳米线表面硅氧化......
光催化是一种有效的环境污染控制技术,但常用的TiO2粉末光催化剂具有量子效率低、不能利用可见光、较难分离回收等缺点,成为限制其......
本文采用基于密度泛函理论的第一性原理的赝势平面波方法,对掺杂引起的ZnO、β-FeSi2系的电子结构变化进行了详细的计算研究,在理......
由于半导体纳米线特殊的结构特征和独特的物理、化学性质,IV族和III-V族材料制成的纳米线在化学传感器、锂电池、热电转换器件、光......
以Au膜作为催化剂和大晶粒多晶Si薄膜为衬底,利用固-液-固生长机制,制备出直径在30～100 nm和长度为几百微米的高密度Si纳米线。实验......
利用基于密度泛函理论的第一性原理,对不同直径和浓度Au掺杂Si纳米线的态密度和磁性进行了计算。结果表明：杂质Au的形成能随Si纳米......
Si纳米线是一种非常重要的一维半导体纳米材料,在纳米器件方面有很好的应用前景。综述了Si纳米线的一些重要制备方法:激光烧蚀法、......
随着全球经济的迅猛发展,世界能源危机日益严峻,能源的有效利用已经成为当今社会的重大挑战之一。废热回收利用和电子器件散热问题......
以Au膜作金属催化剂、SiH4作为源气体,基于气-液-固(VLS)生长机制在n-Si(111)单晶衬底上制备出了Si纳米线.利用扫描电子显微镜对样......
Si纳米线及其阵列是近年内新发展起来的准一维半导体光电信息材料,在场效应器件、单电子存储器件、光探测器件、场发射器件、纳米......
以Au或Al膜作为金属催化剂,基于固-液-固(SLS)生长机制,直接从n-(111)单晶Si衬底上生长了具有一定直径、长度和密度分布的Si纳米线......
