【摘 要】
：
成功制备出EOT(Equivalent Oxide Thickness)为2.1nm的N/O(SiN/SiO)stack栅介质,并深入研究其性质.研究结果表明,同样EOT的N/O stack栅介质和纯SiO栅介质比较,前者在栅隧穿漏
【出 处】
：
第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会
论文部分内容阅读
成功制备出EOT(Equivalent Oxide Thickness)为2.1nm的N/O(Si<,3>N<,4>/SiO<,2>)stack栅介质,并深入研究其性质.研究结果表明,同样EOT的N/O stack栅介质和纯SiO<,2>栅介质比较,前者在栅隧穿漏电流,可靠性等方面都远优于后者.在此基础上,我们采用N/O stack栅介质制备出栅长为0.12nm的性能优良的CMOS器件.
其他文献
本文对轻掺硼原生直拉单晶硅(CZSi)中流动图形缺陷(FPDs)在Secco腐蚀液中的形成及其演变过程进行了研究.腐蚀时间分别是5min、10min、15min、30min.取样后用光学显微镜观察了
本文采用φ200mm、厚度400μm、电阻率为2-5Ω·cm的PCZ硅片制作硅光单体电源,通过改变铝背场厚度来观察烧结工艺后少子寿命和硅中氮、碳型态的变化.实验发现:背场吸杂对光电
为研究太阳电池硅片中碳对氧沉淀的影响,以及热处理对少子寿命的影响,实验中采用氧含量相差较小,碳含量差别较大的p型(100)直拉硅(Cz-Si)片,设计了不同温度、气氛的热处理工
介绍了半导体硅单晶、多晶工业国内外的发展状况与趋势.随着国际信息产业的迅猛发展,电子工业和半导体工业也得到了巨大发展,并且直到20世纪末都保持稳定的15％年增长率的速度
硅基IV族半导体外延材料在高速微电子器件和光电子器件应用方面有着广泛的应用前景,制备这些器件的关键是外延材料的生长,先进的器件需要先进的材料,先进的材料需要先进的生
提出了一种基于三维有限元的电磁无损检测缺损响应快速模拟的组合方法 ,该方法由三项技术构成 ,分别是局部计算技术、差场技术和迭代解技术 .采用局部计算技术 ,可以将三维计
本文对SiGe源结构的SOI器件中的浮体效应进行了模拟,并且与普通的SOI器件进行了比较.发现源区采用SiGe材料后,输出曲线上的翘曲现象得到了减弱,击穿电压得到了提高,说明浮体
本文研究了185nm紫外灯降解高纯水中有机物的机理,185nm紫外灯先光解纯水,产生活性中间体OH、H和e(水合电子),并通过实验测出所形成HO的浓度.实验研究用185nm紫外灯降低高纯
自行设计了一套具有创新性的研究型立式高真空MOCVD装置,能够较好的调节反应气体的流动状态,从而在衬底上生长大面积均匀的外延层.利用该装置在蓝宝石和硅单晶衬底上成功的生