【摘 要】
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采用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)技术,在InP衬底上生长InGaAs材料。采用两步生长法制备InGaAs材料,研究低温生长的缓冲层In组分对InGaAs结晶质量的影响;探讨缓冲层厚
【机 构】
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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室 长春 130033
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采用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)技术,在InP衬底上生长InGaAs材料。采用两步生长法制备InGaAs材料,研究低温生长的缓冲层In组分对In<,0.82>Ga<,0.18>As结晶质量的影响;探讨缓冲层厚度对In<,0.8>Ga<,0.2>As应力的影响;分析缓冲层生长温度对In<,0.82>Ga<,0.18>As光致发光特性的影响。
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