缓冲层厚度相关论文
本文通过高分辨X射线衍射、光荧乐、二次离子质谱(SIMS)、原子力显微镜和同步辐射X射线衍射分析了AlN缓冲层的厚度对GaN外延层的影......
以甘肃北山新场候选场址为研究对象,围绕地质处置库工程屏障缓冲层厚度进行情景和参数的不确定分析,利用GoldSim软件对新场候选场......
通过研究具有不同缓冲层(950℃)厚度的AlN外延晶片和具有低温插入层(1100℃)的AlN外延晶片,结果表明缓冲层厚度和低温插入层对高温......
研究在常温和高温条件下帆布芯耐热输送带的粘合性能及其影响因素。结果表明：随着试验温度的升高，帆布芯耐热输送带的粘合性能大幅度......
本实验采用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)技术,两步生长法在InP 衬底上制备In0.82Ga0.18As 材料。研究缓冲层厚度对In0.82Ga......
利用MOCVD在国产SiC衬底上外延高质量的GaN薄膜.随着SIN缓冲层厚度的增加.GaN或核岛的尺寸减小;当AIN缓冲层是20nm时,GaN的表面原......
采用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)技术,在InP衬底上生长InGaAs材料。采用两步生长法制备InGaAs材料,研究低温生长的缓冲层I......
本文报道了AlGaN/GaN HEMT器件制造中器件隔离工艺的研究结果.我们采用离子注入方法实现了1微米深度的器件隔离.通过对比两种不同......
为提升坡莫合金薄膜的应用价值,探索了在坡莫合金薄膜厚度尽可能薄的情况下,如何制备高各向异性磁电阻Ni81Fe19薄膜.利用磁控溅射,......
通过模拟试验研究了煤岩散体落料冲击系数的影响因素,并探讨了各影响因素的影响规律。结果表明：散体落料高度以及缓冲层厚度对冲击......
本文研究了低温GaN(LTGaN)缓冲层表面形貌,其随厚度的变化规律及对随后生长GaN外延膜各项性能的影响。用场发射扫描电镜(SEM)和原......
利用磁控溅射方法制备了一系列Ta（x）/Ni81Fe19（100nm）/Ta（3nm）磁性薄膜。着重研究基片温度、缓冲层厚度对薄膜结构和各向异性磁电阻的影......
影响染料敏化太阳电池性能因素较多。用水热法制备不同维数的TiO2纳米棒阵列作太阳电池缓冲层,其光电转换效率低。为深入研究TiO2......
利用磁控溅射方法制备了一系列超薄Ta（5nm）／Ni81Fel9（20nm）／Ta（3nm）磁性薄膜。着重研究了基片温度、缓冲层厚度对Ni81Fe19薄膜各相异性磁电......
本文研究了低温GaN(LT-GaN)缓冲层表面形貌,其随厚度的变化规律及对随后生长GaN外延膜各项性能的影响.用场发射扫描电镜(SEM)和原......
Inx Ga1-x As材料可以制作高灵敏度和探测率的探测器,其截止波长随In组分含量的变化呈线性变化,近年来,对长波长In0.82Ga0.18As/In......
蒸压加气混凝土落锤冲击试验考虑了试件的厚度、落距对冲击力最大值的影响。试验结果表明,一定冲击能量下试件的冲击力最大值随自......
