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在前人研究的基础上,本文提出了锗硅材料禁带宽度随含量x、温度T、及掺杂浓度N<,A>变化的经验公式,改善了以往经验公式局限性较大的缺点.分析并计算了不同温度、掺杂浓度以及不同材料的禁带变窄量,与实验数据进行了对比,两者符合得很好.
应变Si1-xGex层禁带宽度的研究
【摘 要】
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在前人研究的基础上,本文提出了锗硅材料禁带宽度随含量x、温度T、及掺杂浓度N变化的经验公式,改善了以往经验公式局限性较大的缺点.分析并计算了不同温度、掺杂浓度以及不同
【机 构】
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北京大学微电子学研究所(北京)
【出 处】
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第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议
【发表日期】
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2001年期
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