【摘 要】
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采用恒电位电沉积技术在金基体上沉积出Bi2Te3-ySey温差电材料薄膜。采用SEM、EDS等方法,研究了电沉积Bi2Te3-ySey温差电材料薄膜的组成及形貌。结果表明,在含有Bi3+、HTeO2+
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采用恒电位电沉积技术在金基体上沉积出Bi2Te3-ySey温差电材料薄膜。采用SEM、EDS等方法,研究了电沉积Bi2Te3-ySey温差电材料薄膜的组成及形貌。结果表明,在含有Bi3+、HTeO2+和Se4+的溶液中,采用控电位电沉积方法,可实现铋、碲、硒三元共沉积,制备出Bi2Te3-ySey温差电材料薄膜。在沉积电位-0.01V下制备出的Bi2Te3-ySey温差电材料薄膜组成为Bi2Te2.45Se0.85薄膜结构致密。
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