磁场变化速度对磁性薄膜表观矫顽力的影响

来源 :第十九届全国半导体物理学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:lsp110
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磁滞回线给出了磁性薄膜的重要性质,不同的磁滞回线的形状和面积可以满足不同的需求,比如说,高磁能积(磁滞回线既宽又高)的磁体可以减小器件的尺寸和重量[1,2].
其他文献
由于非晶铟镓锌氧化物(IGZO)薄膜具有高迁移率和高透过率的特点,它作为沟道层被广泛应用于薄膜晶体管(TFT)中[1-4]。本论文利用磁控溅射方法制备了IGZO-TFT器件,在研究了有源层厚度对器件性能影响的基础上,进一步研究了快速退火温度对器件性能的影响。在相同制备条件下制备了一组器件A、B、C、D、E,在不同温度下进行快速退火处理,发现退火温度对IGZO-TFT性能的影响很大。经过适当退火温度
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三维拓扑绝缘体(TI)是一类新的量子物质态,是当今凝聚态物理中的热点前沿课题之一.这类材料体内是绝缘体,表面存在无能隙的、受时间反演对称性保护的拓扑表面态.
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Electrical-field control of topological insulators (TIs) has greatly expanded the possible practical use of these materials.However, the combination of low-temperature local probe studies and gate tun
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近年来,人们掀起了自旋电子学的研究热潮[1].要实现自旋电子器件的应用,其中一个关键就在于制备出具有高自旋极化率、高居里温度的磁性半导体材料.
会议
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会议
Mn3-x-yCoxNiyO4(0<x<2,0<y<1) (MCNO)是一类三元过渡金属氧化物,以Mn3O4为原型发展而来,是具有Mn混合价态的锰酸盐,属于立方尖晶石晶体结构,其中存在自旋、轨道、晶格之间的相互作用,这些相互作用与其电学、磁学性质密切相关[1].
会议
ZnO基稀磁半导体的磁性起源一直是个极有争议性的物理问题,铁磁性起源于缺陷媒介的交换作用还是磁性沉淀物由于缺乏相应的实验证据一直让人困惑.
会议
自1881年被Edwin Hall发现以来,反常霍尔效应(Anomalous Hall effect,AHE)因其所蕴含的丰富而有趣的物理现象吸引了大量的理论和实验研究.尽管如此,AHE的介观起源和理论解释仍然颇具争议.
会议
磁性薄膜材料不仅广泛用于光通信中的磁光调制器、光隔离器等;也是主要的磁记录薄膜介质,被广泛应用于磁光信息存储,由于与半导体材料工艺相兼容,半导体/铁磁薄膜异质结成为半导体自旋电子器件领域的重要材料.
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近年来,由于在垂直磁存储以及STT-MRAM[1]、自旋转矩振荡器(STO)等自旋器件中的潜在应用价值,具有垂直磁晶各向异性(PMA)的磁性材料受到了越来越多的关注.
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