Next Steps upon Industrial Manufacturing of Silicon Solar Cells with Passivating Contacts

来源 :2018 年第十四届中国太阳级硅及光伏发电研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:lxqandhd
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Passivating Contacts Next Generation Silicon Solar Cells Al-BSF,PERC Mature main stream technology Intrinsic efficiency limitation Unpassivated metal contacts Contact recombination and lateral current flow
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本文提出了一种包含了CFD方法、GMDH算法和NSGA-Ⅱ的混合策略,用于Cz法晶体生长建模及工艺参数优化。通过CFD得到了大量的实验样本;通过GMDH型神经网络算法辨识出目标函数固液界面形变量h和缺陷评价准则V/G的多项式模型。
At present,more than20GW capacity DWS mc-Si solar cell shave been produced by using Ag-MCCE process on the industrial production lines in china.MCCE is an universal technique to form nano-/micro-scale
本文通过设置不同地面反射率进行数值模拟,从而获取在仿真模拟过程中实证电站的最优地面反射率。为便于对比分析,IAM模型则选择了普遍应用的Ashrae parametrization模型,根据统计结果,将地面反射率分别设置为10%和20%,模型数值模拟的理论值与实际值的相关性系数基本一致,且整体优于30%反射率情况。
琼海湿热环境实证1年(首年)后:试验组件Pm的衰减率基本在1~4%;平均Pm衰减率大小排序为:第三组、十一、六、四、五、十、二、八、一、七、九,平均Pm衰减率最大与最小二者相差2.46个百分点;实证1年,试验组串系统年累计直流比发电量基本均在1230~1330kWh/kW之间;试验系统的年累计直流单瓦发电量大小排序:第四组、十一、十、一、三、五、六、九、七、八、二,年累计单瓦直流发电量最大(第四组
通过DLTS从微观机理上说明了磷吸杂以及氢化处理后P型多晶硅片少子寿命提高的原因,从宏观及微观上分析了AlOx和AlOx/SiNx叠层钝化的吸杂及未吸杂硼掺杂多晶硅寿命样品的LeTID现象。
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铸造单晶硅是目前光伏硅晶体发展的重要方向,面临高位错密度、单晶率、籽晶成本和材料利用率等问题的挑战,位错(包括分散位错和位错团)是制约单晶硅质量的关键因素,晶界工程可以降低位错团,明显提高晶体质量。
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本文阐述了提拉法单晶硅生长系统中碳杂质输运与控制的数值模拟与实验验证,结果表明:过量碳氧杂质降低CZ-Si工艺中的晶体品位,碳杂质对少流子寿命的危害主要发生在氧含量较高的CZ-Si晶体中,气体导流筒与Si熔体间隙对C杂质输运影响取决于扩散距离。