【摘 要】
：
本文采用Raman测量研究了低碳含量a-SiC:H(～<20at.℅)薄膜的结构特征,两种不同激光波长被用来激发这些材料.采用647.1nm激发中,由于能量接近于各样品的光学带隙,因而具有较大的透射深度,而488nm激发则被样品表面强列吸收.探测深度的变化造成了Raman谱较大的差异,这些结果表明样品的自由表面存在一层高浓度的缺陷层,同时也证明样品体内硅团簇结构的存在.这两种空间的不均性造成了高能
论文部分内容阅读
本文采用Raman测量研究了低碳含量a-SiC<,x>:H(～<20at.℅)薄膜的结构特征,两种不同激光波长被用来激发这些材料.采用647.1nm激发中,由于能量接近于各样品的光学带隙,因而具有较大的透射深度,而488nm激发则被样品表面强列吸收.探测深度的变化造成了Raman谱较大的差异,这些结果表明样品的自由表面存在一层高浓度的缺陷层,同时也证明样品体内硅团簇结构的存在.这两种空间的不均性造成了高能激发时Raman谱的TO模频率和半高宽比低能激发时有大的红移和展宽,以上结果表明不同激发波长将造成Raman测量结果的差异.
其他文献
电化学样模合成法是制备有序金属纳米线阵列的重要方法.本工作采用电化学及非电沉积的方法在氧化铝模板中沉积了各种不同的金属,利用酸或碱溶解除除氧化铝后得到各种金属的纳米线.采用原子力显微镜观察逐步溶解样模过程中纳米线阵列表面形貌的变化规律.
本文研究了含不同比例C的聚乙烯基咔唑(PVK)/花生酸(AA)/C混合体系在气/液界面上的单层分散性质并将其组装成LB膜.利用复合膜中花生酸镉分子与硫化氢气体的反应制得硫化镉纳米粒子,从而得到C/PVK/纳米粒子功能复合LB膜并测定其UV光谱.
纳米科学技术是21世纪主要高新科学技术之一,它将对信息科技和生命科学的发展产生巨大的促进作用.本文概述了纳米科学技术,并重点介绍单分子STM成像和单分子操纵两方面的工作.
利用合成的ABO型纳米复合氧化物BaSrTiO材料制作了电阻型湿度敏感元件,对元件进行湿敏特性测试后表明:该元件的阻抗-湿度特性良好,电阻范围适中,湿滞小,不需加热清洗.同时研究了其直流充电-放电特性和交流复阻抗特性,分析了敏感机理.
采用溶胶-凝胶技术,制备PPV/TiO及PPV/SiO纳米复合膜.通过荧光光谱及透射电镜的测试,研究了纳米TiO,纳米SiO与PPV的界面效应对PPV发光性质的影响,并初步探讨PPV/TiO及PPV/SiO纳米复合膜的发光机制.
微毛细管电泳芯片是近年发展起来的新一代样品分离技术.本文介绍了微型芯片的设计、加工、检测系统工作原理及其系统软件设计,分析了注样管和分离管道的伏安特性,给出了某种样品的动态分离谱图,提出研制一种集包括从样品注样到分析所需的微型芯片及其后续检测电路于一体的微芯片,从而组成微型化仪器是今后电泳技术和生物芯片技术发展的方向.
本文报导了一种小尺寸金纳米粒子的合成方法.本方法主要是利用相转移试剂4-辛基溴化铵将金氯酸根离子从水相转移到甲苯有机相中,然后用硼氢化钠作为还原剂将其还原为金.在加入还原剂之前,先在有机相中加入一定量的壬烷基硫醇作为稳定剂,以此来控制金粒的生长速度,从而达到调控金纳米粒子粒径的目的.紫外-可见(UV)和红外光谱(IR)测量表明硫醇包裹的金纳米粒子的生成.透射电镜(TEM)表征进一步证实了小尺寸金纳
本文提出了一种以玻璃为衬底的单晶硅体微机械加工梳状电容式加速度传感器结构,器件梳状叉指刻蚀采用单晶硅DRIE技术,可大大增加器件厚度,从而大幅增加器件检测电容,便于信号检测.对传感器工作原理,性能模拟计算及制作工艺流程等进行了分析,并测得传感器±1g范围内静态特性,测试结果表明传感器具有较高的灵敏度和线性度.
本文研究了Ni-MoS复合电镀层在不同工艺条件下的结构特征、形貌,并分析了其摩擦特性,发现复合电镀层厚度和MoS的晶向对摩擦系数影响较大;即使在MoS含量较少,Ni-MoS复合镀层的极限剪切模量也比金属Ni降低很多.这为LIGA技术制造自润滑MEMS器件提供了有益的参考并提供低MoS含量的Ni-MoS复合材料的一些基本性质.
本文利用ICP硅深层刻蚀工艺,制备了一种全新的LIGA掩模板.与一般的LIGA掩模板比较,该掩模板的最大特色在于其支撑层和吸收层都是由硅材料构成,支撑层与吸收层之间没有结合力问题和热膨胀系数匹配问题.该X光掩模板还具有工艺简单、价格低廉等优点.理论分析表明,该掩模板在中长波长区域可以很好地满足同步辐射曝光的要求.利用该掩模板在北京同步辐射光源进行光刻,并进一步进行微电铸,均得到了比较理想的结果.