【摘 要】
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基于k·p微扰理论,通过引入应变哈密顿量作为微扰,建立了适于任意晶向的双轴应变Ge价带色散关系模型.计算结果表明,应变Ge/Si1-xGex价带带边空穴有效质量随Ge组分的增加而减
【机 构】
:
西安电子科技大学微电子学院,陕西 西安 710071
【出 处】
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第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
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基于k·p微扰理论,通过引入应变哈密顿量作为微扰,建立了适于任意晶向的双轴应变Ge价带色散关系模型.计算结果表明,应变Ge/Si1-xGex价带带边空穴有效质量随Ge组分的增加而减小,其各向异性比弛豫Ge更加显著.
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