In0.2Al0.8As阻挡层对InAs量子点光致发光效率的影响

来源 :第五届全国光子学大会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：nfx0123

【摘要】

：

利用分子束外延技术制得结构不同的 InAs 量子点样品，运用原子力显微技术（AFM）表征量子点的大小和浓度，并采用分光法对样品的光致发光效率进行研究。发现在 InAs 层和 GaAs 覆盖层之间插入 In0.2Al0.8As 隧道阻挡层，不但可以调谐 InAs 量子点的发射波长，使发射波长接近 1300nm,而且可以使 InAs 量子点发射强度增加，增加量超过一个数量级。量子点发射强度的增强意味着

【作者】

：

杨景海杨丽丽宫杰华中范厚刚赵庆祥

【机构】

：

吉林师范大学凝聚态物理研究所,四平,136000 查尔摩斯技术大学光电物理所,哥德堡,瑞典,S–4

【出处】

：

第五届全国光子学大会

【发表日期】

：

2004年10期

【关键词】

：

激光器 InAs量子点光致发光效率

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