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本文采用普通热氧化、快速热氧化和氧等离子体氧化三种不同的氧化方法制备SiOx，然后用PECVD 生长SiNx 形成双层减反射膜，并测试其减反射率，与单层SiNx 薄膜的减反射效果对比。结果表明：采用氧等离子体和快速热氧化得到SiOx＋SiNx 双层膜减反射率在小于600nm 波段时低于单层的SiNx 薄膜，而在大于600nm 波段时高于单层SiNx 薄膜。同时采用常规热氧化得到的双层膜在低于800nm 波段减反射率较高，减反射效果不及单层的SiNx 减反射膜。