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研究了快速热生长二氧化硅MOS结构的负偏压温度不稳定性。这种MOS结构在未经受过金属化后热处理时有室温负偏压不稳定性,但热处理......
本文采用普通热氧化、快速热氧化和氧等离子体氧化三种不同的氧化方法制备SiOx,然后用PECVD 生长SiNx 形成双层减反射膜,并测试其减......
对多孔硅进行“胺液浸泡 +快速热氧化”处理 ,光致发光谱显示 ,经处理样品的发光峰值波长短到 5 0 0nm ,而且在干燥空气中存放 160......
对多孔硅进行“胺液浸泡+快速热氧化”处理,光致发光谱显示,经处理样品的发光峰值波长短到500nm,而且在干燥空气中存放160d后,发光强度变化很小。......
首先通过光刻工艺制作了阵列化岛状硅衬底,然后利用交替变换阳极腐蚀电流,通过合理地控制制备参数,适当的热氧化条件,成功地制备了......