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本文利用室温瞬态光荧光谱,对本实验室低压金属有机化合物气相外延(LP-MOVPE)生长的InGaN/GaN多量子阱蓝光LED的发光机理进行了分析.
氮化镓基蓝光发光二极管瞬态光荧光谱的研究
【摘 要】
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本文利用室温瞬态光荧光谱,对本实验室低压金属有机化合物气相外延(LP-MOVPE)生长的InGaN/GaN多量子阱蓝光LED的发光机理进行了分析.
【机 构】
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清华大学电子工程系集成光电子学国家重点实验室(北京)
【出 处】
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中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议
【发表日期】
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2003年8期
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