Charge Traps in Graphene Field-Effect Transistors

来源 :2011年第三届微电子及等离子体技术国际会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:compasion
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We present an analysis of the ID-VG curve bending of graphene field-effect transistors (FETs) at the negative gate bias region.
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