【摘 要】
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本文基于金属诱导单向晶化(MIUC)技术,通过版图的选择设计和工艺流程的优化,结合后热退火处理,制备出迁移率高于100cm2/V.s,开关比大于107,阈值电压的绝对值在3V以内的P沟和N沟MIUCpoly-SiTFTs.在此基础上设计制备出用于周边集成的驱动电路.对制备的多晶硅驱动电路单元进行评价性测试.它们的工作频率随施加的工作电压呈指数式增加,最终趋于线性增长,在外加激励信号电压为10v时,
【机 构】
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南开大学光电子所,天津,300071;香港科技大学电气与电子工程系,清水湾,九龙,香港 南开大学光
【出 处】
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第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会
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本文基于金属诱导单向晶化(MIUC)技术,通过版图的选择设计和工艺流程的优化,结合后热退火处理,制备出迁移率高于100cm2/V.s,开关比大于107,阈值电压的绝对值在3V以内的P沟和N沟MIUCpoly-SiTFTs.在此基础上设计制备出用于周边集成的驱动电路.对制备的多晶硅驱动电路单元进行评价性测试.它们的工作频率随施加的工作电压呈指数式增加,最终趋于线性增长,在外加激励信号电压为10v时,工作频率可以达到5MHz.测试结果达到设计要求值.将这样的行、列驱动电路,一同集成作在像素矩阵电路的玻璃周边,研制出彩色"SystemonPanel_SOP"的AMLCD模块,具有良好的动态显示功能.
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