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Zn掺杂的SnO2纳米线的制备与结构表征

来源 :第九届全国X-射线衍射学术大会暨国际衍射数据中心(ICDD)研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：cjz1107

【摘 要】

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本工作利用化学气相沉积(CVD)方法,通过金属Sn粉和Zn粉在770℃下与氧气直接反应,以金为催化剂,成功地在硅片基底上制备了Zn掺杂的SnO2纳米线.并利用X射线衍射(XRD),能谱分析(

【作 者】

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孟慧 王聪 

【机 构】

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北京航空航天大学理学院,凝聚态物理与材料物理研究中心,北京,100083

【出 处】

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第九届全国X-射线衍射学术大会暨国际衍射数据中心(ICDD)研讨会

【发表日期】

：

2006年10期

【关键词】

：

氧化锡纳米线 化学气相沉积 催化剂 硅片 

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本工作利用化学气相沉积(CVD)方法,通过金属Sn粉和Zn粉在770℃下与氧气直接反应,以金为催化剂,成功地在硅片基底上制备了Zn掺杂的SnO2纳米线.并利用X射线衍射(XRD),能谱分析(EDX),场发射扫描电镜(FE-SEM),透射电镜(TEM),X射线光电子能谱(XPS)等对其形貌和结构特征进行了表征.

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