TiAl渗硅层形成机理的研究

来源 :第八次全国热处理大会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:dbbzy
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用扫描电镜和X-射线能谱仪对分别经过两种不同渗剂(15%Si+85%Al<,2>O<,3>和15%Si+85%ZrO<,2>)包埋渗硅后的两组Ti-48Al试样进行了组织观察和结构分析.实验结果表明:在这两组试样表面均形成一复合渗层.外层为连续致密的Al<,2>O<,3>层,并有大量的Si颗粒黏附于试样表面;内层主要是Ti<,5>Si<,3>层,并在其基体上分布着一定量的粒状Al<,2>O<,3>.故可推断渗层中的Al<,2>O<,3>是由基体中的Al原子与气氛和基体中的残余O反应所形成的.
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