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原子层沉积技术用于沉积具有均一表面的纳米有机或无机层，原子层沉积过程中的生长模式在此过程中很重要。本文研究了用等离子体辅助原子层沉积技术，在PET上通过改变不同界面层沉积氧化铝薄膜，用三甲基铝(TMA)为铝源，氧气(02)为氧源进行沉积。采用等离子体或化学处理方法对PET表面进行处理，处理后所得表面基团为氨基、羟基、羧基、硅羰基。采用原子力显微镜(AFM)研究了改变界面基团后薄膜生长模式的变化，同时用椭偏仪测量了薄膜的生长速率，并用氧气透过率测量了原膜和改变界面层基团后的基底沉积相同厚度的氧化铝薄膜后阻隔性的变化。实验结果表明不同的界面层基团改变了氧化铝薄膜的生长同时也改变了薄膜的阻隔性能，经处理后的基底越平滑吸附的TMA量越多，阻隔性越好。