【摘 要】
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Heterostructures of wurtzite based devices have attracted great research interests since the tremendous success of GaN in light emitting diodes(LED)industry.To grow high quality heterostructures based
【机 构】
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Department of Physics,the Chinese University of Hong Kong,Shatin,New Territories,HongKong,China
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Heterostructures of wurtzite based devices have attracted great research interests since the tremendous success of GaN in light emitting diodes(LED)industry.To grow high quality heterostructures based on ZnO and GaN,growth conditions that favor the layer by layer growth mode(Frank-Van der Merwe)have to be applied.While there are difficulties to achieve it,confirmed by experimental observations.
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