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实验使用x射线四圆衍射仪，衍射仪使用Cu靶，采用G(o)bel mirror平行光聚焦镜，X射线能量8050.72ev(铜Kα特征特征谱线)，长索拉狭缝加闪烁探测器进行测量。样品采用SiO基底上的Be薄膜和Be/Cu薄膜进行分析。实验证明在固定掺杂量下，选取相应的制备电压，可以优化得到应变最小的铍薄膜。