【摘 要】
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本文采用金属诱导单一方向横向晶化法(MIUC)进行了多晶硅薄膜晶体管的研究.将薄膜晶体管有源岛制作在镍剩余量较低的横向晶化区;并采用优化的工艺流程,将镍剩余量较高的区域
【机 构】
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南开大学薄膜光电子器件与技术研究所
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本文采用金属诱导单一方向横向晶化法(MIUC)进行了多晶硅薄膜晶体管的研究.将薄膜晶体管有源岛制作在镍剩余量较低的横向晶化区;并采用优化的工艺流程,将镍剩余量较高的区域从器件中移出,从而获得高迁移率、高开关比、低域值电压的单栅结构多晶硅薄膜晶体管.以p型MILC poly-Si TFT为基础,采用两管象素单元电路,制备出象素数为160×RGB×120、开口率为46﹪的2.1英寸彩色OLED有源选址基板.用此基板制作的AM-OLED,得到了良好的视频显示效果.
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