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本文详细描述了4H-SiC功率MESFET台面光刻技术,利用光刻胶阻挡离子束台面刻蚀,其工艺简单,重复性好,获得良好的4H-SiC刻蚀表面,有利于器件的性能提高.SiC的台面刻蚀需要较长时间,通常金属掩膜又会带来微管、缺陷及不易处理等一系列问题。利用GaAs背孔工艺刻蚀掩膜,用作4H-SiC台面刻蚀掩膜,得到良好的4H-SiC台面刻蚀表面.