CeO2纳米阵列上高温超导体YBCO纳米结构的自组装

来源 :中国物理学会2013年秋季学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:clast
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  自发现以来[1],高温超导电性问题经过了20多年的实验和理论研究的积累,目前在理论、实验、模拟上都处于研究汇总和研究方向转变的时期。尽管人们己经对高温铜氧化物超导体进行了大量的研究,但是最基本的一些物理问题依然没有得到明确的结论。
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ZnO 是一种宽带隙的半导体材料,在结构和性质上有激子束缚能高、无毒、无害等很多优点,受到研究者的青睐。但是,自ZnO 被作为光电半导体材料研究以来,p 型掺杂一直是没有完全克服的难题,而N 作为一种良好的掺杂元素,一直也是大家关注的焦点。
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Recently,Ⅲ-nitride materials systems have attracted much attention as the active region for light emitting diodes(LEDs)due to their good light-emitting efficacy.
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Topological insulators(TIs),a new state of quantum matter,have recently attracted significant attention,both for their fundamental research interest and for their potential device applications [1–2].
In recent years,wurtzite GaN and related Ⅲ–V compound semiconductors have attracted considerable attention in high-brightness light-emitting diodes(LEDs)and laser diodes(LDs)emitting from the green to
硅材料在半导体产业中具有广阔的应用前景和市场价值.但是,由于硅作为间接带隙半导体材料,其本征跃迁发光效率很低.如果可以提高硅基材料的发光效率——尤其是1.5 μm 附近的光通信波段的发光效率,则对于光互连与光集成都起到积极的作用.