导电细丝相关论文
随着摩尔定律的放缓和冯·诺依曼瓶颈带来的限制,传统的硅基存储器面临着严重的工艺技术引起的物理尺寸限制。阻变存储器具有结构......
近年来随着微型化和智能化电子器件及便携式电子产品的快速发展,忆阻器的研究技术日新月异,但无论其技术如何发展,其最终目的都是......
随着柔性电子概念的提出,人们纷纷将目光转向柔性电子器件的研发中,例如可穿戴设备,柔性太阳能电池和电子皮肤等。存储器方面,尤其......
随着特征尺寸的不断减小,Flash存储器已经进入后摩尔时代,其发展的难度越来越高,同时短板也逐渐显现。阻变存储器（Resistive Random......
自旋电子学是一门最新发展起来的涉及磁学、电子学以及信息学的交叉学科,其核心内容是通过主动调控固态系统中电子的自旋自由度,将......
随着信息时代的快速发展,数据、图像、视频等信息量日益膨胀,迫切需要开发低存取功耗、高存储容量以及多功能特性的存储器。目前主......
近年来,随着人类迈入大规模信息和多媒体时代,人们对电子产品存储性能的要求越来越高,例如:大容量、高密度、快存取、非易失以及小......
阻变随机存储器（ReRAM）,由于其优异的器件性能极有潜力成为下一代非易失性存储器:结构简单、尺寸缩减能力强、超快的操作速度以及低......
本文研究了Ti/ZrO2/Pt阻变存储器的双极转变特性.氧空位组成的导电细丝的形成和断裂是产生电阻转变特性的主要机制.器件低阻态和高......
基于电阻开关效应(RS effect)的电阻型随机存储器(RRAM)具有高速度、高密度、低功耗等优点，近年来引起了人们的广泛关注。在众多物......
非晶薄膜在原子尺度上更加均匀,可以使RRAM性能更稳定,YFe0.5Cr0.5O3-X的结晶温度高达1150℃,能在高温条件下制备出非晶薄膜,使其......
基于第一性原理对双Ti掺杂下相邻位置氧空位形成能以及整体缺陷结合能进行计算,阐述不同相对位置双Ti掺杂对氧空位形成以及整体缺......
阻变式随机存储器(RRAM)是目前新型存储器领域的研究热点。基于ZrO2材料,选取Al和Ag作为杂质元素。采用第一性原理方法计算了掺杂......
阻变存储器(RRAM)作为下一代非易失性存储器的重要应用受到越来越广泛的关注,其中,无机阻变存储器相对于有机存储具有结构简单、制......
本研究采用金属掺杂的方式调控氧空位导电细丝的电子结构以获得更好的器件性能。计算了HfO2体系中四组氧空位的形成能,得到VO4-VO2......
半导体存储器是信息处理和存储的核心部件,其市场份额在整个集成电路产业占据较大的比重,是信息技术产业的重要组成部分。然而,传......
新型非挥发性存储器能够满足高密度信息存储和高性能计算的性能需求,其最有潜力成为下一代存储器。新型非挥发性存储器主要包括相......
忆阻器是一种拥有简单金属-绝缘体-金属(MIM)三明治结构的新型两端电子存储器件,因特征尺寸小、易于制备、可三维堆叠等特点和能耗......
随着大数据时代的到来,阻变存储器由于具有操作速率快、存储密度高、能耗低等特点而备受关注。负微分电阻效应是一种电流随电压增......
近年来,阻变存储器由于其结构简单、操作速度快、功耗低、读写速度快等优点而受到人们的广泛关注,成为下一代非易失性存储器的潜在......
随着科学技术的发展和时代的进步,人们对器件尺寸的要求不断小型化,半导体器件面临着巨大的压力和技术上挑战。虽然闪存(flash)等......
伴随物联网时代数字信息的爆炸性增长,急需研究用于数据处理的快速且可扩展的新型存储与计算技术。在新兴的存储技术中,基于电阻切......
忆阻器由于具有体积小、功耗低、非易失性等特点成为当前存储领域的研究热点,忆阻器模型是电路设计中的一个基本需求。其中忆阻器......
阳离子基阻变器件（也称导电桥阻变器件）,是一种基于电场/热场作用的电化学效应器件,在非易失性存储器、易失性选通管、非易失逻辑运......
信息化革命推动了集成电路技术的快速发展,集成电路技术在当今的信息化时代已经扮演了重要的角色。此外,科学家和产业界人士对电子......
研究了Ni/HfO2(10 nm)/Pt存储单元的阻变特性和机理.该器件具有forming-free的性质,还表现出与以往HfO2(3 nm)基器件不同的复杂的......
在目前的存储器应用中，市场对非挥发性存储器的需求很高。Flash存储器因其具有集成密度高、操作速度快和电可擦除等优点而受到广泛......
21世纪存储技术的主要发展特点是:超大容量、超高密度的信息存储和超快的信息传输速度。随着工艺节点的持续发展，传统Flash存储技术......
随着制造工艺的迅速发展，半导体器件的尺寸越来越小，传统半导体存储器越来越接近物理极限，人们迫切地需要开发新一代的非挥发存储器。......
当今世界，科技发展日新月异，随着半导体集成电路技术的发展，电子产品市场也是种类繁多，其发展速度更是达到或超过了“摩尔定律”。但传......
随着信息化时代的到来,大容量、低功耗和低成本的非挥发性存储器在电子市场中占据着越来越重要的位置。然而,目前基于浮栅结构的Fl......
随着科技的进步和生活节奏的加快,人们对芯片的处理速度、功耗等性能的要求也越来越高。尤其是当今盛行的非易失性存储器即将达到......
为了克服传统存储器件所存在的缺陷，人们提出了许多新型的器件，包括相变存储器(PcRAM)、铁电存储器(FeRAM)、磁存储器(MRAM)以及阻变......
阻变是指经过外加电压的调控可以在高阻态和低阻态重复转变现象,已经在很多金属/阻变介质/金属结构中观察到,这种阻变特性可以用来......
采用直流磁控溅射法在Pt/Ti/SiO2基片上分别以三种不同的基板温度和后热处理工艺制备了二氧化锡(SnO2)薄膜。采用X射线衍射仪对三......
氧化镍薄膜因非挥发性、低功耗、开关重复性好及阻值窗口大等优势而成为广泛研究的阻变材料之一。本文从器件结构、阻变机理及影响......
采用磁控溅射系统在Pt衬底上构建了Ag/BiFeO3 (BFO)/Pt三明治结构的阻变存储器件单元,该器件可以在较低的限制电流下实现阻变行为......
采用电泳沉积法在FTO导电玻璃基片上制备Zn1-xCuxO薄膜,并对其微观结构、光致发光谱、伏安特性、保持特性和转换电压分布进行探讨......
采用射频磁控溅射法在Pt／Ti／SiO2／Si衬底上制备了Ta／HfOx／Pt三明治结构，对其电学性能和化学成分进行了分析。结果表明，Ta／HfOx／Pt结构具有明......
为了研究阻变存储器导电细丝的形成位置和分布规律,使用X射线光电子能谱研究了Ti/HfO_2/Pt阻变存储器件单元中Hf 4f的空间分布,得......
通过构造AIOx／WOy双层结构实现了阻变存储器的均匀性、低功耗等特性，该器件阻变层中的AIOx为氧空位渐变的梯度膜，从而使得形成的导电......
采用简单的一步水热法在FTO导电玻璃上外延生长了锐钛矿TiO2纳米线,制备了具有Au/TiO2/FTO器件结构的锐钛矿TiO2纳米线忆阻器,系统......
