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利用飞秒激光脉冲激励光导开关能够产生太赫兹脉冲，近年来，这项技术在超快电脉冲计量领域也得以应用。本文针对超快脉冲标准中使用的低温生长砷化镓(LT-GeAs)光导开关，建立了一种简洁的集总参数理论模型，来描述此类超快光导开关的性能。理论建模过程中考虑了半导体中光生载流子的输运过程，及太赫兹脉冲在传输过程中的衰减和色散等效应。依据理论模型，分别计算了在波长840nm和450nm飞秒激光脉冲激励下，LT-GaAs光导开关所产生的太赫兹脉冲的时域波形，通过与相应实验结果的比较，对理论模型进行了验证。