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该文利用喇曼光谱研究了不同温度下在Si(100)衬底上异质外延Ge层由于扩散引起的Ge/Si异质结界面互混以及表面活化剂Sb对其的影响。结果表明表面活化剂Sb的存在大大抑制了界面的相互扩散，在650℃下也没有观察到明显的界面互混。没有Sb时，在500℃下已存在一定程度的界面互混。
GeSi(100)界面互扩散的喇曼光谱研究
【摘 要】
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该文利用喇曼光谱研究了不同温度下在Si(100)衬底上异质外延Ge层由于扩散引起的Ge/Si异质结界面互混以及表面活化剂Sb对其的影响。结果表明表面活化剂Sb的存在大大抑制了界面
【机 构】
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复旦大学应用表面物理国家重点实验室(上海)
【出 处】
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第五届全国分子束外延学术会议
【发表日期】
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1999年6期
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