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本文通过改变存储器辐照时施加的偏置状态(动态检测或不加电)和不同剂量辐照后的退火条件,在线测得EEPROM和FLASHROM存储器逻辑状态翻转随总剂量和辐照后退火条件的变化关系;给出了不同集成度SRAM和EEPROM存储器总剂量效应与集成度的关系;试验发现,EEPROM、FLASHROM在不同剂量辐照后,不同温度条件下退火出现了逻辑状态翻转异常现象的结果.这些结果对器件抗辐射加固评估技术研究有重要价值.