偏置状态相关论文
针对国产锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT),采用半导体器件三维计算机模拟工具,建立单粒子效应三维损伤模型,研究不同偏置状态对SiG......
随着人们对信息安全的需求不断提升，依赖于随机性物理过程的真随机数产生器引起了广泛的研究兴趣。激光器的自发辐射噪声由于具有内......
本文对PD SOI NMOS器件进行了60Coγ射线总剂量辐照的实验测试,分析了不同的栅长对器件辐射效应的影响及其物理机理.研究结果表明,......
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本次工作使用MEDICI二维器件模拟软件,建立新型的BUSFET带体接触的SOINMOSFET器件模型,对不同偏置状态下掩埋氧化层中电场强度进行......
本文通过改变存储器辐照时施加的偏置状态(动态检测或不加电)和不同剂量辐照后的退火条件,在线测得EEPROM和FLASHROM存储器逻辑状......
研制了适用于128×1线列碲镉汞长波红外焦平面器件的硅读出电路。电路由CMOS移位寄存器进行选址，探测器的信号读出采用CTIA方式。采......
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利用变温辐照方法模拟了低剂量率辐照,研究了双极电压比较器LM2903的电离总剂量(TID)-单粒子瞬态(SET)的协同效应。结果表明,高电......
针对组合密封在偏置状态下密封性能的变化,利用ABAQUS有限元分析软件进行了仿真与研究。建立了不同偏置状态下旋转组合密封的有限......
建立三极管的物理模型，分析讨论了三极管饱和时的偏置状态和载流子的运动规律，进一步说明了此时三极管集电结正偏的正确性。......
