【摘 要】
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本文首次提出了常关型三维异质结围栅极型的异质结场效应晶体管(FinHFET).FinHFET通过肖特基金属接触的方式实现了围栅极型的异质结场效应晶体管.凹形栅极的肖特基金属改变了势垒层中的内建电势分布，耗尽了异质结沟道处的二维电子气(2DEG)，实现了器件的常关功能.研究结果表明：常关型AlGaN/GaN FinHFET器件与传统凹栅HFET工艺兼容，具有较好的电流驱动能力和反向阻断能力，为GaN
【机 构】
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State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices,University of Electronic Scienc
【出 处】
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2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会
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本文首次提出了常关型三维异质结围栅极型的异质结场效应晶体管(FinHFET).FinHFET通过肖特基金属接触的方式实现了围栅极型的异质结场效应晶体管.凹形栅极的肖特基金属改变了势垒层中的内建电势分布，耗尽了异质结沟道处的二维电子气(2DEG)，实现了器件的常关功能.研究结果表明：常关型AlGaN/GaN FinHFET器件与传统凹栅HFET工艺兼容，具有较好的电流驱动能力和反向阻断能力，为GaN电路集成提供了一种新型的思路.
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